აირჩიეთ თქვენი ქვეყანა ან რეგიონი.

EnglishFrançaispolskiSlovenija한국의DeutschSvenskaSlovenskáMagyarországItaliaहिंदीрусскийTiếng ViệtSuomiespañolKongeriketPortuguêsภาษาไทยБългарски езикromânescČeštinaGaeilgeעִבְרִיתالعربيةPilipinoDanskMelayuIndonesiaHrvatskaفارسیNederland繁体中文Türk diliΕλλάδαRepublika e ShqipërisëአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskeraБеларусьíslenskaBosnaAfrikaansIsiXhosaisiZuluCambodiaსაქართველოҚазақшаAyitiHausaКыргыз тилиGalegoCatalàCorsaKurdîLatviešuພາສາລາວlietuviųLëtzebuergeschmalaɡasʲМакедонскиMaoriМонголулсবাংলা ভাষারမြန်မာनेपालीپښتوChicheŵaCрпскиSesothoසිංහලKiswahiliТоҷикӣاردوУкраїна
გამოსახულება შეიძლება იყოს წარმომადგენლობა.
იხილეთ დეტალები პროდუქტის დეტალებზე.

IXFN27N80Q

მწარმოებელი ნაწილი ნომერი:
IXFN27N80Q
მწარმოებელი / ბრენდი
IXYS
ნაწილი აღწერა:
MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
მონაცემთა ბაზები:
IXFN27N80Q.pdf
იცხოვრე თავისუფალი სტატუსი / RoHS სტატუსი:
საფონდო მდგომარეობა:
ახალი ორიგინალი, საფონდო ხელმისაწვდომია.
გემიდან:
Hong Kong
გადაზიდვის გზა:
DHL/Fedex/TNT/UPS

ინტერაქტივი ონლაინ

გთხოვთ, შეავსოთ ყველა საჭირო ველი თქვენი საკონტაქტო ინფორმაციის საშუალებით. დააჭირეთ "წარუდგინეთ მოთხოვნა"ჩვენ დაუკავშირდებით თქვენ ელ.წერილს. ელ.ფოსტით: info@fuji-modules.com
ნაწილი ნომერი
მწარმოებელი
საჭიროა რაოდენობა
მიზნის ფასი(USD)
კომპანიის სახელი
საკონტაქტო სახელი
ელ.ფოსტა
ტელეფონი
შეტყობინება
გთხოვთ შეიყვანოთ კოდექსის შემოწმება და დააჭირეთ "გაგზავნა"
ნაწილი ნომერი IXFN27N80Q
მწარმოებელი / ბრენდი IXYS
კატეგორია დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები > ტრანზისტორები - FETs, MOSFETS - Single
აღწერა MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
იცხოვრე თავისუფალი სტატუსი / RoHS სტატუსი: RoHS Compliant
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA
Vgs (Max) ±20V
ტექნიკა MOSFET (Metal Oxide)
მიმწოდებელი მოწყობილობა პაკეტი SOT-227B
სერია HiPerFET™, Q Class
Rds On (Max) @ Id, Vgs 320mOhm @ 500mA, 10V
დენის წყობა (მაქსიმალური) 520W (Tc)
პაკეტი / საქმე SOT-227-4, miniBLOC
ფუთა Tube
ოპერაციული ტემპერატურა -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი Chassis Mount
შეყვანის Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V
FET ტიპი N-Channel
FET ფუნქცია -
Drive Voltage (Max საკაბელო On, Min RDS On) 10V
გადინების წყარო ძაბვა (Vdss) 800 V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C 27A (Tc)
ბაზის პროდუქტის ნომერი IXFN27

შეფუთვა

ჩვენ გთავაზობთ უმაღლესი ხარისხის, ეკონომიკურად ფასდაკლებული სტატიკური ფარის შეფუთვას. 40% მსუბუქი გამჭვირვალობით, ის იოლად იხსნება IC- ს (ინტეგრირებული სქემები) და PCB- ს (დაბეჭდვის სქემის დაფები) ადვილად იდენტიფიცირება. უკიდურესად გამძლე დაკრძალული ლითონის კონტრაქტურა იძლევა FaradayCage– ს შესრულებას, რომელიც საჭიროა ამ კომპონენტების ეფექტურად დასაცავად, staticcharge– ისგან.

ყველა პროდუქტი შეფუთულია საწინააღმდეგო სტატიკურაში. გემი ESD ანტისტატიკური დაცვით.
გარე ESD შეფუთვის ობიექტივი გამოიყენებს ჩვენიკომპანიის ინფორმაციას: ნაწილი Mumber, ბრენდი და რაოდენობა.
ჩვენ გადავამოწმებთ ყველა საქონელს გადაზიდვამდე, ყველა პროდუქტს კარგ მდგომარეობაში დავაკმაყოფილებთ და ვაძლევთ ნაწილების ახალ ორიგინალ მონაცემთა ცხრილს.
მას შემდეგ, რაც ყველა საქონელი არ უზრუნველყოფს პრობლემების შემდგომი შეფუთვას, ჩვენ შეფუთვა უსაფრთხოდ გავაგზავნით და გავაგზავნით Global Express- ით. ეს გამოირჩევა მშვენიერი პუნქციით და ცრემლსადენი გამძლეობით და ბეჭდის კარგ მთლიანობასთან ერთად.
ჩვენ შეგვიძლია შემოგთავაზოთ მსოფლიო ექსპრეს მიწოდების სერვისი, მაგალითად DHLor FedEx ან TNT ან UPS ან გადაზიდვის სხვა ტრანსპორტიორი.

გლობალური გადაზიდვა DHL / FedEx / TNT / UPS მიერ

გადაზიდვის საფასურის მითითება DHL / FedEx
1). თქვენ შეგიძლიათ შემოგთავაზოთ თქვენი ექსპრესიული ანგარიში გადაზიდვისთვის, თუ თქვენ არ გაქვთ რაიმე ექსპრეს ანგარიში გადაზიდვისთვის, ჩვენ შეგვიძლია შემოგთავაზოთ ჩვენი ანგარიში არაადეკვატური.
2). გამოიყენეთ ჩვენი ანგარიში გადაზიდვისთვის, გადაზიდვის საფასური (Reference DHL / FedEx, სხვადასხვა ქვეყნებს აქვთ განსხვავებული ფასი.)
გადაზიდვის საფასური : (Reference DHL და FedEX)
წონა (კგ): 0.00 კგ-1.00 კგ ფასი (აშშ დოლარი): 60,00 აშშ დოლარი
წონა (კგ): 1.00 კგ-2.00 კგ ფასი (აშშ დოლარი): $ 80.00
* ფასის ფასი მითითებულია DHL / FedEx– ზე. დეტალური ინფორმაცია, გთხოვთ, დაგვიკავშირდეთ. სხვადასხვა ქვეყანაში გამოხატული ბრალდება განსხვავებულია.



IXFN27N80Q პროდუქტის აღწერილობა:

IXFN27N80Q: A High-performance N-Channel MOSFET for Power Electronics The IXFN27N80Q is a top-of-the-range N-Channel MOSFET that stands out for its exceptional performance parameters and versatility. This discrete semiconductor product is part of the Transistors - FETs family and belongs to the MOSFETs - Single category. Its model number is IXFN27N80Q. This product is designed to meet the huge power requirements of industrial and commercial applications. With an output voltage of 800V, a current rating of 27A, a power rating of 330W, and an accuracy of +/- 30V, the IXFN27N80Q ensures consistent power supply even in challenging environments. Moreover, this MOSFET delivers high efficiency levels of up to 84%, which translates to greater power savings and reduced operating costs. The IXFN27N80Q can be used with a wide variety of electronic devices, including power inverters, ac/dc converters, motor control systems, and welding systems, among others. It is widely used in industries such as automotive, aerospace, and construction, where reliable and robust power electronics are a requirement. Some of its specific applications include voltage regulators, switching regulators, and high-speed signal processing. This MOSFET is a digital integrated circuit with three components: the gate, source, and drain. The gate controls the current flow between the source and drain, with the application of a voltage. When the voltage is low, the current will not be allowed to pass, and when it is high, the current will be conducted through the channel. The IXFN27N80Q is an N-channel MOSFET, which means that it conducts current when a negative voltage is applied to the gate. The complex manufacturing process involved in producing the IXFN27N80Q should not be taken for granted. It involves various stages, ranging from chip design, cutting, cleaning, laser processing, back grinding, doping, exposure, vapor deposition, etching, to bonding, packaging, and testing. The end product must undergo rigorous testing to ensure that it meets the required quality standards. In conclusion, the IXFN27N80Q is an outstanding N-Channel MOSFET that has proven itself in the semiconductor industry. Its power-packed performance, versatility, and robustness make it an ideal choice for industrial and commercial applications that require high-powered electronics. Whether it's voltage regulators, switching regulators, or high-speed signal processing, the IXFN27N80Q is undoubtedly the MOSFET of choice for power electronics.

შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ: