Valige oma riik või piirkond.

EnglishFrançaispolskiSlovenija한국의DeutschSvenskaSlovenskáMagyarországItaliaहिंदीрусскийTiếng ViệtSuomiespañolKongeriketPortuguêsภาษาไทยБългарски езикromânescČeštinaGaeilgeעִבְרִיתالعربيةPilipinoDanskMelayuIndonesiaHrvatskaفارسیNederland繁体中文Türk diliΕλλάδαRepublika e ShqipërisëአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskeraБеларусьíslenskaBosnaAfrikaansIsiXhosaisiZuluCambodiaსაქართველოҚазақшаAyitiHausaКыргыз тилиGalegoCatalàCorsaKurdîLatviešuພາສາລາວlietuviųLëtzebuergeschmalaɡasʲМакедонскиMaoriМонголулсবাংলা ভাষারမြန်မာनेपालीپښتوChicheŵaCрпскиSesothoසිංහලKiswahiliТоҷикӣاردوУкраїна
Pilt võib olla esindus.
Vaata toote üksikasju.

IXFN27N80Q

Tootja Osa number:
IXFN27N80Q
Tootja / Brand
IXYS
Osa kirjeldusest:
MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
Andmelehed:
IXFN27N80Q.pdf
Lead Free status / RoHS staatus:
Varude seisund:
Uus originaal, varu saadaval.
Laev läheb:
Hong Kong
Saadetise viis:
DHL/Fedex/TNT/UPS

Päring Online

Täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmetega.Klõpsake "ESITA TAOTLUS"võtame teiega peatselt ühendust e-posti teel. Või saatke meile e-kiri: info@fuji-modules.com
Osa number
Tootja
Nõuda kogust
Sihihind(USD)
Ettevõtte nimi
kontaktisiku nimi
E-post
Telefon
Sõnum
Sisestage kinnituskood ja klõpsake nuppu "Esita"
Osa number IXFN27N80Q
Tootja / Brand IXYS
Kategooria Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - FETS, MOSFETS - üksikud
Kirjeldus MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
Lead Free status / RoHS staatus: RoHS Compliant
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA
Vgs (max) ±20V
Tehnoloogia MOSFET (Metal Oxide)
Pakkuja seadme pakett SOT-227B
Seeria HiPerFET™, Q Class
Rds On (Max) @ Id, Vgs 320mOhm @ 500mA, 10V
Voolukatkestus (max) 520W (Tc)
Pakett / kott SOT-227-4, miniBLOC
Pakk Tube
Töötemperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp Chassis Mount
Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds 7600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V
FET tüüp N-Channel
FET funktsioon -
Ajami pinge (max rds on, min rds on) 10V
Vooluallikas (Vdss) 800 V
Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C 27A (Tc)
Baastoote number IXFN27

Pakendamine

Pakume saadaolevat kõrgeima kvaliteediga ja ökonoomseima hinnaga staatilisi kilppakendeid. 40% -lise kerge läbipaistvusega, kaldkirjadega, et hõlpsalt tuvastada IC-d (integraallülitused) ja PCB-sid (trükitud vooluringi plaadid). Äärmiselt vastupidav maetud metalli konstruktsioon annab FaradayCage'i jõudluse, mis on vajalik nende komponentide tõhusaks kaitsmiseks staatilise laengu eest.

Kõik tooted pakitakse antistaatilisse kotti. ESD antistaatilise kaitsega laev.
ESD-väliste pakendite sildid kasutavad meie ettevõtte teavet: osa number, kaubamärk ja kogus.
Enne kauba saatmist kontrollime kõiki kaupu, tagame kõigi toodete heas seisukorras ja varuosade uue originaalse tehnilise andmelehe olemasolu.
Pärast seda, kui kõik kaubad tagavad, et järelpakendamisel pole probleeme, pakime tooted turvaliselt ja saadame ülemaailmse kiirpostina. See pakub suurepärast torke- ja rebenemiskindlust ning head tihendi vastupidavust.
Pakume ülemaailmseid kiirkullerteenuseid, näiteks DHLor FedEx või TNT või UPS või muud saatmiseks mõeldud ekspediitorit.

DHL / FedEx / TNT / UPS ülemaailmne saadetis

Postikulud viide DHL / FedEx
1). Saate pakkuda saadetise jaoks oma kiirsaadetise kontot, kui teil pole saadetise jaoks ekspresskontot, pakume oma kontole eelteavet.
2). Kasutage meie kontot saadetiste saatmiseks ja saatmiskuludeks (viide DHL / FedEx, eri riikides on erinev hind.)
Saatmiskulud : (Viide DHL ja FedEX)
Kaal (KG): 0,00–1,00 kg Hind (USD): 60,00 USD
Kaal (KG): 1,00–2,00 kg Hind (USD): USD 80,00
* Kulu hind on DHL / FedEx-ga võrdlushind. Üksikasjad tasud, võtke meiega ühendust. Erinevates riikides on kiirkulud erinevad.



IXFN27N80Q Toote info:

IXFN27N80Q: A High-performance N-Channel MOSFET for Power Electronics The IXFN27N80Q is a top-of-the-range N-Channel MOSFET that stands out for its exceptional performance parameters and versatility. This discrete semiconductor product is part of the Transistors - FETs family and belongs to the MOSFETs - Single category. Its model number is IXFN27N80Q. This product is designed to meet the huge power requirements of industrial and commercial applications. With an output voltage of 800V, a current rating of 27A, a power rating of 330W, and an accuracy of +/- 30V, the IXFN27N80Q ensures consistent power supply even in challenging environments. Moreover, this MOSFET delivers high efficiency levels of up to 84%, which translates to greater power savings and reduced operating costs. The IXFN27N80Q can be used with a wide variety of electronic devices, including power inverters, ac/dc converters, motor control systems, and welding systems, among others. It is widely used in industries such as automotive, aerospace, and construction, where reliable and robust power electronics are a requirement. Some of its specific applications include voltage regulators, switching regulators, and high-speed signal processing. This MOSFET is a digital integrated circuit with three components: the gate, source, and drain. The gate controls the current flow between the source and drain, with the application of a voltage. When the voltage is low, the current will not be allowed to pass, and when it is high, the current will be conducted through the channel. The IXFN27N80Q is an N-channel MOSFET, which means that it conducts current when a negative voltage is applied to the gate. The complex manufacturing process involved in producing the IXFN27N80Q should not be taken for granted. It involves various stages, ranging from chip design, cutting, cleaning, laser processing, back grinding, doping, exposure, vapor deposition, etching, to bonding, packaging, and testing. The end product must undergo rigorous testing to ensure that it meets the required quality standards. In conclusion, the IXFN27N80Q is an outstanding N-Channel MOSFET that has proven itself in the semiconductor industry. Its power-packed performance, versatility, and robustness make it an ideal choice for industrial and commercial applications that require high-powered electronics. Whether it's voltage regulators, switching regulators, or high-speed signal processing, the IXFN27N80Q is undoubtedly the MOSFET of choice for power electronics.

Samuti võite teid huvitada: