Aukeratu zure herrialdea edo eskualdea.

EnglishFrançaispolskiSlovenija한국의DeutschSvenskaSlovenskáMagyarországItaliaहिंदीрусскийTiếng ViệtSuomiespañolKongeriketPortuguêsภาษาไทยБългарски езикromânescČeštinaGaeilgeעִבְרִיתالعربيةPilipinoDanskMelayuIndonesiaHrvatskaفارسیNederland繁体中文Türk diliΕλλάδαRepublika e ShqipërisëአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskeraБеларусьíslenskaBosnaAfrikaansIsiXhosaisiZuluCambodiaსაქართველოҚазақшаAyitiHausaКыргыз тилиGalegoCatalàCorsaKurdîLatviešuພາສາລາວlietuviųLëtzebuergeschmalaɡasʲМакедонскиMaoriМонголулсবাংলা ভাষারမြန်မာनेपालीپښتوChicheŵaCрпскиSesothoසිංහලKiswahiliТоҷикӣاردوУкраїна
Irudia ordezkaritza izan daiteke.
Ikus produktuaren xehetasunak ikusi.

IXFN27N80Q

fabrikatzailea Zenbakiaren zenbakia:
IXFN27N80Q
Fabrikatzaileak / Marka
IXYS
Deskribapen zatia:
MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
Fitxak:
IXFN27N80Q.pdf
Lead Free Status / RoHS egoera:
Stock egoera:
Original berria, Stock eskuragarri.
Ontziatik aurrera:
Hong Kong
Bidalketa Bidea:
DHL/Fedex/TNT/UPS

Kontsulta Online

Bete beharrezko eremu guztiak zure kontaktu informazioarekin. Egin klik "ESPEDIENTEA ESKATU"Laster jarriko gara zurekin harremanetan posta elektronikoz. Edo e-posta elektroniko bidez: info@fuji-modules.com
Zenbakiaren zenbakia
fabrikatzailea
Eskatu zenbatekoa
Xede Prezioa(USD)
Enpresaren izena
Harremanetarako Izena
E-mail
Mugikorra
Mezua
Sartu Verify Code eta sakatu "Bidali"
Zenbakiaren zenbakia IXFN27N80Q
Fabrikatzaileak / Marka IXYS
Kategoria Semieroale diskretuen produktuak > Transistoreak - FETs, MOSFETs - Banako
deskribapena MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
Lead Free Status / RoHS egoera: RoHS Compliant
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA
Vgs (Max) ±20V
Teknologia MOSFET (Metal Oxide)
Hornitzaileen gailuen paketea SOT-227B
Series HiPerFET™, Q Class
Rds On (Max) @ Id, Vgs 320mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max) 520W (Tc)
Pakete / kasua SOT-227-4, miniBLOC
Pakete Tube
Tenperatura operatiboa -55°C ~ 150°C (TJ)
Muntaketa mota Chassis Mount
Sarrera edukiera (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V
FET mota N-Channel
FET Feature -
Drive tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Iturria tentsioa xukatu (Vdss) 800 V
Uneko - Drain kontinentala (Id) @ 25 ° C 27A (Tc)
Oinarrizko produktuaren zenbakia IXFN27

Packaging

Eskuragarri dauden kalitate estetikoko ontzi estetikoenak eskaintzen ditugu. Argiaren% 40ko gardentasunarekin, ICak (zirkuitu integratuak) eta PCBak (zirkuitu inprimatutako zirkuituak) identifikatzeko erraztasunak ematen ditu. Lurperatutako metalezko eraikuntza oso iraunkorrak, FaradayCage-k beharrezkoak ditu.

Produktu guztiak estatiken aurkako poltsan ontziratuko dira. Ontzia ESD babes antiestatikoarekin.
ESD paketatzearen kanpoan, gure enpresaren informazioa erabiliko da: zati-kopurua, marka eta kantitatea.
Salgai guztiak ikuskatuko ditugu bidali aurretik, produktu guztiak egoera onean ziurtatuko ditugu eta piezak originalmatch fitxa berria ziurtatuko dugu.
Merkantzia guztiak arazorik gabe ziurtatu ondoren, segurtasunez ontziratuko ditugu eta global express bidez bidaliko ditugu. Zulagailu malko eta malkoen erresistentzia erakusten du zigilu osotasun onarekin batera.
Mundu osoko entrega express zerbitzua eskain dezakegu, esaterako DHLor FedEx edo TNT edo UPS edo beste bidaltzailea bidaltzeko.

Bidalketa globala DHL / FedEx / TNT / UPS-k eginda

Bidalketa Tarifak DHL / FedEx
1). Bidalketa-kontua espreski eska dezakezu bidalketa egiteko. Ez baduzu bidalketa-kontu zehatzik, gure kontua ohar dezakegu.
2). Erabili gure kontua bidalketa, Bidalketa gastuak (Erreferentzia DHL / FedEx, herrialde desberdinak prezio desberdinak ditu.)
Bidalketa-gastuak : (DHL eta FedEX erreferentzia)
Pisua (KG): 0,00 kg-1,00 kg Prezioa (USD $): USD 60,00 USD
Pisua (KG): 1.00kg-2.00kg Prezioa (USD $): 80,00 USD
* Kostuaren prezioa DHL / FedEx-ekin erreferentzia da. Xehetasun gastuak, jar zaitez gurekin harremanetan. Herrialde desberdinak karga espresiboak desberdinak dira.



IXFN27N80Q Produktuaren xehetasunak:

IXFN27N80Q: A High-performance N-Channel MOSFET for Power Electronics The IXFN27N80Q is a top-of-the-range N-Channel MOSFET that stands out for its exceptional performance parameters and versatility. This discrete semiconductor product is part of the Transistors - FETs family and belongs to the MOSFETs - Single category. Its model number is IXFN27N80Q. This product is designed to meet the huge power requirements of industrial and commercial applications. With an output voltage of 800V, a current rating of 27A, a power rating of 330W, and an accuracy of +/- 30V, the IXFN27N80Q ensures consistent power supply even in challenging environments. Moreover, this MOSFET delivers high efficiency levels of up to 84%, which translates to greater power savings and reduced operating costs. The IXFN27N80Q can be used with a wide variety of electronic devices, including power inverters, ac/dc converters, motor control systems, and welding systems, among others. It is widely used in industries such as automotive, aerospace, and construction, where reliable and robust power electronics are a requirement. Some of its specific applications include voltage regulators, switching regulators, and high-speed signal processing. This MOSFET is a digital integrated circuit with three components: the gate, source, and drain. The gate controls the current flow between the source and drain, with the application of a voltage. When the voltage is low, the current will not be allowed to pass, and when it is high, the current will be conducted through the channel. The IXFN27N80Q is an N-channel MOSFET, which means that it conducts current when a negative voltage is applied to the gate. The complex manufacturing process involved in producing the IXFN27N80Q should not be taken for granted. It involves various stages, ranging from chip design, cutting, cleaning, laser processing, back grinding, doping, exposure, vapor deposition, etching, to bonding, packaging, and testing. The end product must undergo rigorous testing to ensure that it meets the required quality standards. In conclusion, the IXFN27N80Q is an outstanding N-Channel MOSFET that has proven itself in the semiconductor industry. Its power-packed performance, versatility, and robustness make it an ideal choice for industrial and commercial applications that require high-powered electronics. Whether it's voltage regulators, switching regulators, or high-speed signal processing, the IXFN27N80Q is undoubtedly the MOSFET of choice for power electronics.

Interesgarria ere izan daiteke: