Elija su país o región.

EnglishFrançaispolskiSlovenija한국의DeutschSvenskaSlovenskáMagyarországItaliaहिंदीрусскийTiếng ViệtSuomiespañolKongeriketPortuguêsภาษาไทยБългарски езикromânescČeštinaGaeilgeעִבְרִיתالعربيةPilipinoDanskMelayuIndonesiaHrvatskaفارسیNederland繁体中文Türk diliΕλλάδαRepublika e ShqipërisëአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskeraБеларусьíslenskaBosnaAfrikaansIsiXhosaisiZuluCambodiaსაქართველოҚазақшаAyitiHausaКыргыз тилиGalegoCatalàCorsaKurdîLatviešuພາສາລາວlietuviųLëtzebuergeschmalaɡasʲМакедонскиMaoriМонголулсবাংলা ভাষারမြန်မာनेपालीپښتوChicheŵaCрпскиSesothoසිංහලKiswahiliТоҷикӣاردوУкраїна
La imagen puede ser representación.
Ver especificaciones para detalles del producto.

IXFE23N100

Fabricante Número de pieza:
IXFE23N100
Fabricante / Marca
IXYS
Parte de la descripción:
MOSFET N-CH 1000V 21A SOT227B
Especificaciones:
IXFE23N100.pdf
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Condición de stock:
Nuevo original, Stock disponible.
Nave de:
Hong Kong
Manera del envío:
DHL/Fedex/TNT/UPS

Consulta en línea

Por favor complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic "ENVIAR PETICION"Nos pondremos en contacto con usted en breve por correo electrónico. O envíenos un correo electrónico: info@fuji-modules.com
Número de pieza
Fabricante
Requerir cantidad
Precio objetivo(USD)
Nombre de la empresa
Nombre de contacto
Email
Teléfono
Mensajes
Por favor ingrese el código de verificación y haga clic en "Enviar"
Número de pieza IXFE23N100
Fabricante / Marca IXYS
Categoría Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja
Descripción MOSFET N-CH 1000V 21A SOT227B
Estado Libre de plomo / Estado RoHS: RoHS Compliant
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 8mA
Vgs (Max) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo SOT-227B
Serie HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs 430mOhm @ 11.5A, 10V
La disipación de energía (máximo) 500W (Tc)
Paquete / Cubierta SOT-227-4, miniBLOC
Paquete Box
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7000 pF @ 25 V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 250 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel
Característica de FET -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 1000 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Tc)
Número de producto base IXFE23

embalaje

Ofrecemos el empaque de protección contra estática más económico y de la más alta calidad disponible. Con un 40% de transparencia de luz, permite una fácil identificación de circuitos integrados (circuitos integrados) y PCB (circuitos impresos). La construcción de metal enterrado extremadamente duradera proporciona el rendimiento de FaradayCage necesario para proteger eficazmente estos componentes contra la carga estática.

Todos los productos van embalados en bolsa antiestática. Nave con protección antiestática ESD.
La etiqueta de embalaje de ESD exterior utilizará la información de nuestra empresa: Part Mumber, Marca y Cantidad.
Inspeccionaremos todos los productos antes del envío, garantizaremos que todos los productos se encuentren en buenas condiciones y garantizaremos que las piezas sean nuevas y originales.
Después de que todos los productos se aseguren de que no haya problemas después del embalaje, haremos el embalaje de forma segura y enviaremos por Global Express. Presenta una excelente resistencia a la perforación y al desgarro junto con una buena integridad de sellado.
Podemos ofrecer un servicio de entrega urgente en todo el mundo, como DHL o FedEx o TNT o UPS u otro reenviador para el envío.

Envío global por DHL / FedEx / TNT / UPS

Las tarifas de envío hacen referencia a DHL / FedEx
1). Puede ofrecer su cuenta de entrega urgente para el envío, si no tiene ninguna cuenta de envío urgente, podemos ofrecer nuestra inadvertencia.
2). Utilice nuestra cuenta para el envío, los gastos de envío (referencia DHL / FedEx, diferentes países tiene un precio diferente.)
Gastos de envío: (Referencia DHL y FedEX)
Peso (KG): 0.00kg-1.00kg Precio (USD $): USD $ 60.00
Peso (KG): 1.00kg-2.00kg Precio (USD $): USD $ 80.00
* El precio del costo es de referencia con DHL / FedEx. El detalle de los cargos, por favor contáctenos. Diferentes países los gastos expresos son diferentes.



IXFE23N100 Detalles del producto:

Title: Introducing the IXFE23N100 - High-Performance N-Channel MOSFET for Efficient and Effective Global Use If you are in search of a powerful and reliable transistor for your electronic devices, then look no further than the IXFE23N100 - an N-channel MOSFET that offers high performance and long-lasting energy efficiency. As a part of the Discrete Semiconductor Products classification, this transistor is the ideal solution for a wide range of applications, including power supplies, inverters, and motor control circuits. Main Features and Performance Parameters: With an output voltage of 1000V and a current rating of 21A, the IXFE23N100 proves to be a versatile N-channel MOSFET. It is designed for high switching frequencies and optimized for low switching losses. Maintaining high accuracy and efficiency, it has a temperature range of -55°C to +175°C, making it applicable for both low and high temperature environments. Application Scenarios and Usage: The IXFE23N100 is perfect for use in a multitude of electronic devices and applications. From inverters to motor control circuits, its high-performance characteristics make it perfect for industries such as renewables, energy storage, heavy industry, and logistics, and automation. With a breakdown voltage of 1000V, it provides exceptional performance for high voltage applications. Different Types of Integrated Circuits: Integrated circuits can be classified into various types such as digital, analog, mixed signal, and RF. The IXFE23N100 is an N-channel MOSFET and falls under the analog category that is specifically designed for unique applications such as power supplies. Unlike mixed signal and digital circuits, analog circuits contain electro-mechanical components. Manufacturing and Testing: Integrated circuits are designed and manufactured using a complex process, and the IXFE23N100 is no different. The manufacturing process involves chip designing, cutting, cleaning, laser processing, back grinding, doping, exposure, and vapor deposition. Testing is an essential part of the production process, as every finished product undergoes appropriate testing to ensure its safety, reliability, and quality. In conclusion, the IXFE23N100 is a high-performance and energy-efficient N-channel MOSFET transistor, which is perfect for multiple applications. Its advanced features and high-temperature range make it an ideal choice for industries such as renewables, energy storage, heavy industry, logistics, and automation. Moreover, through appropriate packaging and testing, the finished product is sure to meet all necessary industry standards and be of the highest quality. Choose the IXFE23N100 for all your transistor needs and take advantage of its unparalleled performance and reliability.

Usted también podría estar interesado en: