Alegeți țara sau regiunea dvs.

EnglishFrançaispolskiSlovenija한국의DeutschSvenskaSlovenskáMagyarországItaliaहिंदीрусскийTiếng ViệtSuomiespañolKongeriketPortuguêsภาษาไทยБългарски езикromânescČeštinaGaeilgeעִבְרִיתالعربيةPilipinoDanskMelayuIndonesiaHrvatskaفارسیNederland繁体中文Türk diliΕλλάδαRepublika e ShqipërisëአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskeraБеларусьíslenskaBosnaAfrikaansIsiXhosaisiZuluCambodiaსაქართველოҚазақшаAyitiHausaКыргыз тилиGalegoCatalàCorsaKurdîLatviešuພາສາລາວlietuviųLëtzebuergeschmalaɡasʲМакедонскиMaoriМонголулсবাংলা ভাষারမြန်မာनेपालीپښتوChicheŵaCрпскиSesothoසිංහලKiswahiliТоҷикӣاردوУкраїна
Imaginea poate fi reprezentată.
Vedeți specificațiile pentru detalii despre produs.

IXFN80N50

Stock Available Preț de referință (în dolari SUA)
1+
$44.04
10+
$41.38
100+
$37.10
Producător Număr parc:
IXFN80N50
Producător / Marcă
IXYS
Partea din descriere:
MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
Foi de date:
IXFN80N50(1).pdfIXFN80N50(2).pdf
Condiții libere de stare / stare RoHS:
Starea stocului:
New original, Stoc disponibil.
Barca din:
Hong Kong
Calea de transport:
DHL/Fedex/TNT/UPS

Anchetă online

Completați toate câmpurile obligatorii cu informațiile dvs. de contact.Faceți click pe "TRIMITE CEREREA"vă vom contacta în scurt timp prin e-mail sau trimiteți-ne un e-mail: info@fuji-modules.com
Număr parc
Producător
Solicită cantitate
Prețul țintă(USD)
Numele Companiei
nume de contact
E-mail
Telefon
Mesaj
Introduceți Verificați codul și faceți clic pe "Trimiteți"
Număr parc IXFN80N50
Producător / Marcă IXYS
Categorie Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single
Descriere MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
Condiții libere de stare / stare RoHS: RoHS Compliant
Vgs (a) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA
Vgs (Max) ±20V
Tehnologie MOSFET (Metal Oxide)
Pachetul dispozitivului furnizor SOT-227B
Serie HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 500mA, 10V
Distrugerea puterii (Max) 700W (Tc)
Pachet / Caz SOT-227-4, miniBLOC
Pachet Tube
Temperatura de Operare -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipul de montare Chassis Mount
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds 9890 pF @ 25 V
Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs 380 nC @ 10 V
Tipul FET N-Channel
FET Feature -
Tensiunea de transmisie (valorile max. 10V
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) 500 V
Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C 66A (Tc)
Numărul produsului de bază IXFN80

ambalare

Oferim ambalaje statice de cea mai bună calitate, cu cea mai mare economie de preț. Cu o transparență de lumină de 40%, aceasta permite identificarea ușoară a circuitelor IC (circuite integrate) și a circuitelor imprimate (PCB). Construcția extrem de durabilă a metalului îngropat oferă o performanță FaradayCage necesară pentru a proteja eficient aceste componente împotriva încărcării statice.

Toate produsele vor fi ambalate în sac anti-static. Navă cu protecție antistatică ESD.
În afara de ESD de ambalare lable va folosi informațiile companiei noastre: Part Mumber, marcă și cantitate.
Vom verifica toate bunurile înainte de expediere, vom asigura toate produsele în stare bună și vom asigura că piesele sunt o foaie de date originale.
După ce toate mărfurile sunt asigurate că nu există probleme după ambalare, vom fi ambalate în siguranță și vom trimite prin expediere globală. Rezistă o rezistență excelentă la puncție și la rupere, împreună cu o bună integritate a etanșării.
Putem oferi servicii de curierat rapid la nivel mondial, cum ar fi DHLor FedEx sau TNT sau UPS sau alt transportor pentru expediere.

Expediere globală de către DHL / FedEx / TNT / UPS

Taxa de trimitere trimitere DHL / FedEx
1). Puteți să vă oferiți contul dvs. expres de livrare pentru expediere, dacă nu aveți cont expres pentru expediere, vă putem oferi contul în mod necorespunzător.
2). Utilizați contul nostru pentru expediere, Taxele de expediere (Referință DHL / FedEx, Țările diferite au preț diferit.)
Taxele de expediere: (Referință DHL și FedEX)
Greutate (KG): 0.00kg-1.00kg Preț (USD $): USD 60.00
Greutate (KG): 1.00kg-2.00kg Preț (USD $): USD 80.00
* Prețul costului se referă la DHL / FedEx. Taxele detaliate, vă rugăm să ne contactați. Țară diferită, taxele exprese sunt diferite.



IXFN80N50 Detalii produs:

Title: The Comprehensive Guide to IXFN80N50 Discrete Semiconductor Products - Transistors for High-Voltage Applications IXFN80N50 is a powerful discrete semiconductor product that belongs to the Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Module category. With its advanced features and performance parameters, this transistor is ideally suited for numerous high-voltage applications. In this article, we will dive deep into the technicalities, manufacturing process, and uses of this exceptional product to give you the comprehensive guide to IXFN80N50. Main Features and Performance Parameters With a single transistor construction, IXFN80N50 boasts an exceptional output voltage of 500V and a remarkable current of 80A. This transistor ensures excellent efficiency, thanks to its advanced accuracy and a wide temperature range. Another notable feature of this transistor is its Ugs value, which stands at ±40V. All these attributes make IXFN80N50 an ideal device for a diverse array of high-voltage applications. Application Scenarios and Usage IXFN80N50 is ideal for a wide range of electronic devices and industries. You can use it in power supplies for communication equipment, industrial control systems, and power switching applications. It's also perfect for use in uninterruptable power supplies, DC-AC inverters, motor drives, and welding equipment. This transistor's superior capabilities make it ideal for specific applications such as Class-D audio amplifiers, high-frequency switching applications, and low voltage motor drivers. Types of Integrated Circuits It's essential to understand the different types of integrated circuits like digital, analog, mixed-signal, and radiofrequency. While IXFN80N50 is a single MOSFET transistor module, its advanced features rely on these different types of integrated circuits. Manufacturing Process The manufacturing process for IXFN80N50 is complex and entails chip design, cutting, cleaning, laser processing, back grinding, doping, exposure, vapor deposition, and etching. The finished product must go through appropriate packaging and testing to ensure the component's quality. Conclusion IXFN80N50 is an impressive transistor that provides remarkable power, efficiency, and reliability. Its exceptional features make it the best component to use in high-voltage applications. By keeping the above information in mind, you can better understand how to select and use IXFN80N50 in your specific electronic or industrial application.

Poți fi, de asemenea, interesat de: