Trieu el vostre país o regió.

EnglishFrançaispolskiSlovenija한국의DeutschSvenskaSlovenskáMagyarországItaliaहिंदीрусскийTiếng ViệtSuomiespañolKongeriketPortuguêsภาษาไทยБългарски езикromânescČeštinaGaeilgeעִבְרִיתالعربيةPilipinoDanskMelayuIndonesiaHrvatskaفارسیNederland繁体中文Türk diliΕλλάδαRepublika e ShqipërisëአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskeraБеларусьíslenskaBosnaAfrikaansIsiXhosaisiZuluCambodiaსაქართველოҚазақшаAyitiHausaКыргыз тилиGalegoCatalàCorsaKurdîLatviešuພາສາລາວlietuviųLëtzebuergeschmalaɡasʲМакедонскиMaoriМонголулсবাংলা ভাষারမြန်မာनेपालीپښتوChicheŵaCрпскиSesothoසිංහලKiswahiliТоҷикӣاردوУкраїна
La imatge pot ser representació.
Vegeu les especificacions per a detalls del producte.

IXFN80N50Q2

Fabricant Número de peça:
IXFN80N50Q2
Fabricant / Marca
IXYS
Part de la descripció:
MOSFET N-CH 500V 72A SOT227B
Fulls de dades:
IXFN80N50Q2.pdf
Estat lliure de plom / Estat RoHS:
Condició d'estoc:
Nou original, estoc disponible.
Enviament des de:
Hong Kong
Via d’enviament:
DHL/Fedex/TNT/UPS

Consulta en línia

Ompliu tots els camps obligatoris amb la vostra informació de contacte. Feu clic a "SOL·LICITUD DE PRESENTACIÓ"Ens posarem en contacte amb tu per correu electrònic. O envieu-nos un correu electrònic: info@fuji-modules.com
Número de peça
Fabricant
Requereix quantitat
Preu indicatiu(USD)
Nom de la companyia
Nom de contacte
Correu electrònic
Telèfon
Missatge
Introduïu el codi de verificació i feu clic a "Envia"
Número de peça IXFN80N50Q2
Fabricant / Marca IXYS
Categoria Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Descripció MOSFET N-CH 500V 72A SOT227B
Estat lliure de plom / Estat RoHS: RoHS Compliant
Vgs (po) (máximo) @ Id 4.5V @ 8mA
Vgs (Max) ±30V
Tecnoloxía MOSFET (Metal Oxide)
Paquete de dispositivos de provedores SOT-227B
Serie HiPerFET™, Q2 Class
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 500mA, 10V
Disipación de potencia (máx.) 890W (Tc)
Paquete / caso SOT-227-4, miniBLOC
Paquet Tube
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe Chassis Mount
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 12800 pF @ 25 V
Carga de portas (Qg) (Max) @ Vgs 250 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel
Función FET -
Tensión da unidade (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drenaxe á tensión de orixe (Vdss) 500 V
Corrente - Drenaxe continua (Id) @ 25 ° C 72A (Tc)
Número de producte base IXFN80

Embalatge

Oferim embalatges de blindatge estàtic amb la màxima qualitat, els més econòmics. Amb un 40% de transparència lumínica, permet identificar fàcilment les IC (circuits integrats) i les PCB (plaques de circuit imprès). La resistència metàl·lica soterrada extremadament resistent proporciona el rendiment de FaradayCage necessari per blindar eficaçment aquests components contra la càrrega estàtica.

Tots els productes envasen en anti-staticbag. Vaixell amb protecció antiestàtica ESD.
En el cas de l’empaquetat d’ESD s’utilitzarà la informació de la nostra empresa: nombre de parts, marca i quantitat.
Inspeccionarem totes les mercaderies abans de l’enviament, garantirem tots els productes en bon estat i garantirem que les peces siguin noves.
Després de totes les mercaderies no s’asseguren cap problema després de l’embalatge, enviarem l’embalatge amb seguretat i l’enviarem per express global. Presenta una punxada i una resistència a la llàgrima excel·lents i una bona integritat del segell.
Podem oferir servei de lliurament exprés a tot el món, com DHLor FedEx o TNT o UPS o un altre remitent per a l'enviament.

Enviament global per DHL / FedEx / TNT / UPS

Taxes d’enviament de referència DHL / FedEx
1). Podeu oferir el vostre compte de lliurament exprés per a l'enviament, si no teniu cap compte exprés per a l'enviament, podem oferir la nostra inadmissió al compte.
2). Utilitzeu el nostre compte per a l'enviament i les despeses d'enviament (referència DHL / FedEx, diferents països té un preu diferent.)
Despeses d’enviament : (Referència DHL i FedEX)
Pes (KG): 0,00kg-1,00kg Preu (USD $): 60,00 USD
Pes (KG): 1,00kg-2,00 kg Preu (USD $): 80,00 USD
* El preu del cost és de referència amb DHL / FedEx. El detall es carrega, si us plau, poseu-vos en contacte amb nosaltres. Diferents països els càrrecs expressos són diferents.



IXFN80N50Q2 Detalls del producte:

IXFN80N50Q2: An Overview of this High-Power MOSFET The IXFN80N50Q2 is a high-power N-channel MOSFET that belongs to the Discrete Semiconductor Products category of MOSFETs. With its outstanding performance, it has quickly become a popular choice for professionals working across a wide range of industries. In this article, we'll delve deeper into the features and applications of this powerful device. Key Features and Performance Parameters The IXFN80N50Q2 boasts an output voltage of 500V and a maximum continuous drain current of 72A. This impressive power rating makes it ideal for use in high-power applications that require reliable and efficient performance. In addition, this MOSFET has a low Rds(on) rating, which means it has a minimal power dissipation and low thermal resistance. Application Scenarios and Usage Given its exceptional performance, the IXFN80N50Q2 can be used in a wide range of electronic devices and industries. It is commonly utilized in applications such as power supplies, switching regulators, motor control circuits, and inverters. Furthermore, it is an ideal choice for high-power amplifiers that require high-frequency response. Types of Integrated Circuits The IXFN80N50Q2 is a digital integrated circuit that utilizes MOSFET technology. Digital circuits operate on binary signals, whereas analog circuits operate on continuous signals. Mixed-signal circuits combine both analog and digital circuits, while RF circuits operate at radio frequencies. Manufacturing Process The manufacturing process of this MOSFET involves several stages, including chip design, cutting, cleaning, laser processing, back grinding, doping, exposure, vapor deposition, etching, and more. This complex manufacturing process ensures that the device is consistent, reliable, and efficient. Packaging and Testing To ensure the quality and reliability of the finished product, the IXFN80N50Q2 undergoes appropriate packaging and testing. This ensures that the component is free from defects and operates reliably in its intended application. In conclusion, the IXFN80N50Q2 is a high-power MOSFET that delivers exceptional performance across a wide range of applications. With its low R_DS(on), high power rating, and reliable manufacturing process, it's no wonder why it has quickly become a go-to choice for professionals across a range of industries.

També us pot interessar: